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场效应管(MOS管)发热的常见问题分析

来源: 网络 2018/2/8 浏览量:1420 关键词: MOS管发热严重 场效应管过度发热 MOS管烧坏

在半导体电子应用过程中,场效应管(简称MOS管)经常会出现过度发热的现象,那么是什么原因才会导致MOS管过度发热?

首先我们需要了解MOS管的构造原理,如下图:


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从上图可以看出,场效应管(MOS管)是只要一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件,进一步可以划分为有N沟道器件和P沟道器件


结合细说MOS管一和细说MOS管二的内容,我将MOS管发热严重的原因总结为以下四点:

第一点:电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关,G级电压要比电源高几V,才能完全导通,P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗,等效直流阻抗比较大,压降增大,所以U*I也增大,损耗就意味着发热。这是设计电路的最忌讳的错误;


第二点:MOS管频率太高,主要是有时过分追求体积,导致频率提高,MOS管上的损耗增大了,所以发热也加大了;


第三点:电路板没有做好足够的散热设计,电流太高,MOS管标称的电流值,一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流,也可能发热严重,需要足够的辅助散热片;


第四点:MOS管的选型有误,对功率判断有误,MOS管内阻没有充分考虑,导致开关阻抗增大。

场效应管种类和参数非常的多,只有找到合适的型号,才能从根本上解决发热的问题。另外,茂源微半导体提醒各位:每一个品牌参数值不同,需要事先测试样品再批量采购,避免因盲目采购而造成不必要的损失。

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